4月11日，教育部科技发展中心委托同济大学在上海组织专家委员会对电信学院电子系高玉竹副研究员完成的“熔体外延法生长的8-12 mm波段的InAsSb单晶”项目进行了鉴定。鉴定会由中科院院士夏建白研究员担任专家委员会的主任委员。
鉴定委员会认真听取了研究报告、测试报告和用户报告，观察了晶体材料和器件样品，审阅了有关资料，经过认真讨论，形成了以下鉴定意见：熔体外延技术是该项目负责人高玉竹发明的一种新的晶体生长技术，是液相外延技术的一个重要发展。InAsSb（铟砷锑）是一种新的红外材料，可用于制作室温长波红外探测器，材料质量优于国际公开报道的水平，为我国红外技术的发展提供了一种新材料。探测器的性能指标已达到应用水平，显示了该材料应用于室温中、长波红外探测器的良好前景。该成果的综合技术在国内处于领先地位。
高玉竹副研究员早在日本静冈大学留学期间，通过改变常规的液相外延（LPE）生长工艺，发明了熔体外延（melt epitaxy, 简称ME）生长法，并用ME法在常规液相外延系统中生长出了截止波长8-12μm的InAsSb单晶材料，在国际科学杂志上发表了一批论文，曾获得了国际上的承认。回国后，她连续3次承担了该领域中的国家自然科学基金项目，经5年的继续深入研究，终于用熔体外延法生长的8-12 μm波段的InAsSb单晶，取得了目前阶段性的研究成果。
